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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTP3N120-ND
Cantidad disponible 418
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTP3N120

Descripción MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(A,P)3N120
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

06:14:08 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.36000 6.36
10 5.67500 56.75
25 5.10760 127.69
100 4.65350 465.35
250 4.19952 1,049.88
500 3.76820 1,884.10
1,000 3.17800 3,178.00
2,500 3.01910 7,547.75

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