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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTP18P10T-ND
Cantidad disponible 1,065
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTP18P10T

Descripción MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
Descripción ampliada P-Channel 100V 18A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(Y,A,P)18P10T
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Categories
Fabricante

IXYS

Serie TrenchP™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 39 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2100 pF a 25 V
Vgs (Max) ±15 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 83 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 120 mOhm a 9 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

00:00:51 1/17/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.86000 1.86
10 1.68000 16.80
25 1.50000 37.50
100 1.35000 135.00
250 1.20000 300.00
500 1.05000 525.00
1,000 0.87000 870.00
2,500 0.81000 2,025.00
5,000 0.78000 3,900.00

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