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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTP01N100D-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTP01N100D

Descripción MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(P,U,Y)01N100D
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 120 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 1.1 W (Ta), 25 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110 Ohm a 50 mA, 0 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 607074
Q1614635

03:08:30 2/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.48000 4.48
10 4.00000 40.00
25 3.60000 90.00
100 3.28000 328.00
250 2.96000 740.00
500 2.65600 1,328.00
1,000 2.24000 2,240.00
2,500 2.12800 5,320.00

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