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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTN22N100L-ND
Cantidad disponible 368
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTN22N100L

Descripción MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos IXTN22N100L
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

IXYS

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 11 A, 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 270 nC a 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 7050 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
 
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  • Precio unitario 54.43000
  • IXTN30N100L-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10
Otros nombres 611085

20:30:25 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 42.03000 42.03
10 39.30600 393.06
25 36.35200 908.80
100 34.08000 3,408.00
250 31.80800 7,952.00

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