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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTH80N65X2-ND
Cantidad disponible 61
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTH80N65X2

Descripción MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXTH80N65X2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 4 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 144 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7753 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 890 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 mOhm a 40 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

21:16:54 1/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 15.53000 15.53
10 14.12000 141.20
25 13.06120 326.53
100 12.00200 1,200.20
250 10.94300 2,735.75
500 10.23700 5,118.50
1,000 9.38980 9,389.80

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