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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTH6N100D2-ND
Cantidad disponible 321
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTH6N100D2

Descripción MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(A,P,H)6N100D2
Producto destacado Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 95 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2650 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.2 Ohm a 3 A, 0 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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  • Precio unitario 6.62000
  • IXTH6N50D2-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

19:19:00 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.62000 6.62
10 5.95400 59.54
25 5.42440 135.61
100 4.89510 489.51
250 4.49820 1,124.55
500 4.10130 2,050.65
1,000 3.57210 3,572.10

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