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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTH200N10T-ND
Cantidad disponible 1,794
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTH200N10T

Descripción MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(H,Q)200N10T
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie TrenchMV™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 200 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 152 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9400 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 550 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.5 mOhm a 50 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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  • Precio unitario 5.91000
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

10:13:02 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.09000 6.09
10 5.43400 54.34
25 4.89040 122.26
100 4.45570 445.57
250 4.02096 1,005.24
500 3.60802 1,804.01
1,000 3.04290 3,042.90

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