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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTA3N120CT-ND
Cantidad disponible 1,606
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTA3N120TRL

Descripción MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(A,P)3N120
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 Ohm a 1.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (IXTA)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IXTA3N120CT

11:47:00 2/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.55000 6.55
10 5.84500 58.45
25 5.26080 131.52
100 4.79310 479.31
250 4.32548 1,081.37

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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