Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFX120N20-ND
Cantidad disponible 261
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFX120N20

Descripción MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Descripción ampliada N-Channel 200V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(X,K)120N20
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 300 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9100 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 560 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17 mOhm a 60 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS247™-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres IFX120N20

16:46:12 2/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 17.42000 17.42
10 15.84000 158.40
25 14.65200 366.30
100 13.46400 1,346.40
250 12.27600 3,069.00
500 11.48400 5,742.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario