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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFT32N50Q-ND
Cantidad disponible 55
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFT32N50Q

Descripción MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
Descripción ampliada N-Channel 500V 32A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(H,T)30N50Q, 32N50Q
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 32 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 4 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 190 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4925 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 360 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 160 mOhm a 16 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-268
Paquete / Caja (carcasa) TO-268-2, D³Pak (2 conductores + lengüeta), TO-268AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

22:54:55 1/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 14.48000 14.48
10 13.16000 131.60
25 12.17320 304.33
100 11.18600 1,118.60
250 10.19900 2,549.75
500 9.54100 4,770.50
1,000 8.75140 8,751.40

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