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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFP4N100Q-ND
Cantidad disponible 227
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFP4N100Q

Descripción MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(A,P)4N100Q
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1.5 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 39 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1050 pF a 25 V
Potencia máxima 150 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

04:40:34 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.96000 5.96
10 5.32500 53.25
25 4.79240 119.81
100 4.36650 436.65
250 3.94052 985.13
500 3.53580 1,767.90
1,000 2.98200 2,982.00
2,500 2.83290 7,082.25

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