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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFP3N120-ND
Cantidad disponible 891
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFP3N120

Descripción MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(A,P)3N120
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1.5 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 39 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1050 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

23:37:21 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.52000 6.52
10 5.82500 58.25
25 5.24240 131.06
100 4.77650 477.65
250 4.31052 1,077.63
500 3.86780 1,933.90
1,000 3.26200 3,262.00
2,500 3.09890 7,747.25

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