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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN55N50-ND
Cantidad disponible 106
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN55N50

Descripción MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
Descripción ampliada N-Channel 500V 55A 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X,N)55N50
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Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 55 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 330 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9400 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 625 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90 mOhm a 27.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10
Otros nombres 470724

23:34:38 1/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 31.74000 31.74
10 29.36000 293.60
25 26.97920 674.48
100 25.07460 2,507.46
250 23.01152 5,752.88

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