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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN520N075T2-ND
Cantidad disponible 903
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN520N075T2

Descripción MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
Descripción ampliada N-Channel 75V 480A 940W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN520N075T2
Producto destacado GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 75 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 480 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 545 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 41000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 940 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.9 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

08:05:09 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 25.41000 25.41
10 23.50400 235.04
25 21.59840 539.96
100 20.07390 2,007.39
250 18.42224 4,605.56
500 17.53290 8,766.45

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