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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN320N17T2-ND
Cantidad disponible 290
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN320N17T2

Descripción MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
Descripción ampliada N-Channel 170V 260A 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN320N17T2
Producto destacado GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie GigaMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 170 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 260 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 640 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 45000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1070W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.2 mOhm a 60 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

20:49:03 2/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 37.06000 37.06
10 34.28100 342.81
25 31.50120 787.53
100 29.27740 2,927.74
250 26.86852 6,717.13

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