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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN27N80-ND
Cantidad disponible 147
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN27N80

Descripción MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Descripción ampliada N-Channel 800V 27A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFK(27,25)N80, IXFN(27,25)N80
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Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V, 15 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 400 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9740 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 520 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 300 mOhm a 13.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
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  • Precio unitario 28.10000
  • IXFN60N80P-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10
Otros nombres 468185
Q1653251

18:54:10 1/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 32.20000 32.20
10 29.78500 297.85
25 27.37000 684.25
100 25.43800 2,543.80
250 23.34500 5,836.25

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