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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN230N20T-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN230N20T

Descripción MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN230N20T
Producto destacado GigaMOS™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

IXYS

Serie GigaMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 220 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5 mOhm a 60 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 378 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 28000 pF a 25 V
Potencia máxima 1090 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

04:30:07 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 27.20000 27.20
10 25.16000 251.60
25 23.12000 578.00
100 21.48800 2,148.80
250 19.72000 4,930.00
500 18.76800 9,384.00

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