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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN160N30T-ND
Cantidad disponible 54
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFN160N30T

Descripción MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
Descripción ampliada N-Channel 300V 130A 900W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN160N30T
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Categorías
Fabricante

IXYS

Serie GigaMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 300 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 335 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 28000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 900 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 19 mOhm a 60 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

13:08:40 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 22.85000 22.85
10 21.13400 211.34
25 19.42080 485.52
100 18.04990 1,804.99
250 16.56480 4,141.20
500 15.76512 7,882.56

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