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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFK26N120P-ND
Cantidad disponible 198
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFK26N120P

Descripción MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 26A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X)26N120P
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Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™, PolarP2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 6.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 225 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 16000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 960 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 460 mOhm a 13 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25

17:55:43 3/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 27.72000 27.72
10 25.64100 256.41
25 23.56200 589.05
100 21.89880 2,189.88

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