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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFK170N20T-ND
Cantidad disponible 760
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFK170N20T

Descripción MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
Descripción ampliada N-Channel 200V 170A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X)170N20T
Producto destacado GigaMOS™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie GigaMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 170 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 4 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 265 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 19600 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1150 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11 mOhm a 60 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25

13:15:15 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 12.18000 12.18
10 10.96200 109.62
25 9.98760 249.69
100 9.01320 901.32
250 8.28240 2,070.60
500 7.55160 3,775.80

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