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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFH34N65X2-ND
Cantidad disponible 150
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFH34N65X2

Descripción MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 650V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFx34N65X2
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Categories
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 34 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 2.5 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 56 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3330 pF a 25 V
Vgs (Max) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 540 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 105 mOhm a 17 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

02:59:09 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.38000 6.38
10 5.70000 57.00
25 5.13000 128.25
100 4.67400 467.40
250 4.21800 1,054.50
500 3.78480 1,892.40
1,000 3.19200 3,192.00
2,500 3.03240 7,581.00

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