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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFH18N100Q3-ND
Cantidad disponible 207
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFH18N100Q3

Descripción MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 18A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFx18N100Q3
Producto destacado Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 6.5 V a 4 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 90 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4890 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 830 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 660 mOhm a 9 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

13:06:52 2/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 14.26000 14.26
10 12.96000 129.60
25 11.98800 299.70
100 11.01600 1,101.60
250 10.04400 2,511.00
500 9.39600 4,698.00
1,000 8.61840 8,618.40

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