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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFH12N100-ND
Cantidad disponible 20
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFH12N100

Descripción MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFH/IXFM(10,12)N100
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 4 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 155 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.05 Ohm a 6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

10:04:28 3/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 15.52000 15.52
10 14.11200 141.12
25 13.05360 326.34
100 11.99520 1,199.52
250 10.93680 2,734.20

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