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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFB60N80P-ND
Cantidad disponible 520
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFB60N80P

Descripción MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Descripción ampliada N-Channel 800V 60A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXFB60N80P
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Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™, PolarHT™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 18000 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 140 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS264™
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25

00:58:00 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 21.52000 21.52
10 19.56000 195.60
25 18.09320 452.33
100 16.62600 1,662.60
250 15.15900 3,789.75
500 14.18100 7,090.50

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