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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFA6N120P-ND
Cantidad disponible 164
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFA6N120P

Descripción MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 6A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(A,P,H)6N120P
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™, PolarP2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 92 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2830 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.4 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (IXFA)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
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  • Precio unitario 7.01000
  • IXFA3N120-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

17:10:36 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.43000 7.43
10 6.68600 66.86
25 6.09160 152.29
100 5.49730 549.73
250 5.05156 1,262.89
500 4.60582 2,302.91
1,000 4.01153 4,011.53

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