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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFA6N120P-ND
Cantidad disponible 255
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFA6N120P

Descripción MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 6A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(A,P,H)6N120P
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Categories
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™, PolarP2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 92 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2830 pF a 25 V
Vgs (Max) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.4 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (IXFA)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

00:37:44 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.08000 7.08
10 6.36800 63.68
25 5.80160 145.04
100 5.23550 523.55
250 4.81100 1,202.75
500 4.38650 2,193.25
1,000 3.82050 3,820.50
2,500 3.67900 9,197.50

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