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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFA22N65X2-ND
Cantidad disponible 116
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFA22N65X2

Descripción MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
Descripción ampliada N-Channel 650V 22A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(A,H,P)22N65X2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 1.5 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2310pF a 25V
Vgs (Max) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 390 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 160 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

12:03:13 1/17/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.98000 3.98
10 3.55000 35.50
25 3.19520 79.88
100 2.91100 291.10
250 2.62700 656.75
500 2.35720 1,178.60
1,000 1.98800 1,988.00
2,500 1.88860 4,721.50
5,000 1.81760 9,088.00

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