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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFA10N60P-ND
Cantidad disponible 150
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFA10N60P

Descripción MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Descripción ampliada N-Channel 600V 10A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(A,P)10N60P
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™, PolarP2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1610 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 740 mOhm a 5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (IXFA)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

13:07:54 3/30/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.06000 3.06
10 2.73000 27.30
25 2.45720 61.43
100 2.23860 223.86
250 2.02020 505.05
500 1.81272 906.36
1,000 1.52880 1,528.80
2,500 1.45236 3,630.90

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