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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFA10N60P-ND
Cantidad disponible 110
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFA10N60P

Descripción MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(A,P)10N60P
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

IXYS

Serie HiPerFET™, PolarP2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 740 mOhm a 5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 32 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1610 pF a 25 V
Potencia máxima 200 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (IXFA)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

12:59:58 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.91000 2.91
10 2.60000 26.00
25 2.34000 58.50
100 2.13200 213.20
250 1.92400 481.00
500 1.72640 863.20
1,000 1.45600 1,456.00
2,500 1.38320 3,458.00
5,000 1.33120 6,656.00

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