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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPW55N80C3FKSA1-ND
Cantidad disponible 496
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SPW55N80C3FKSA1

Descripción MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 800V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SPW55N80C3
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ C3
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 54.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 3.3 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 288 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7520 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 85 mOhm a 32.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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  • Precio unitario 12.06000
  • IXFH50N85X-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP000849356

10:52:30 2/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 13.09000 13.09
10 12.02600 120.26
100 10.15670 1,015.67
500 9.03510 4,517.55
1,000 8.28736 8,287.36

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