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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPW55N80C3FKSA1-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SPW55N80C3FKSA1

Descripción MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SPW55N80C3
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ C3
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 54.9 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 85 mOhm a 32.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 3.3 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 288 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 7520 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP000849356

01:15:57 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 13.09000 13.09
10 12.02600 120.26
100 10.15670 1,015.67
500 9.03510 4,517.55
1,000 8.28736 8,287.36

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