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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPW52N50C3IN-ND
Cantidad disponible 506
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SPW52N50C3

Descripción MOSFET N-CH 560V 52A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 560V 52A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SPW52N50C3
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Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Producto destacado Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 560 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 52 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 2.7 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 290 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6800 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 417 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 70 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP000014626
SPW52N50C3-ND
SPW52N50C3FKSA1
SPW52N50C3IN
SPW52N50C3X
SPW52N50C3XK

17:36:33 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 11.53000 11.53
10 10.41600 104.16
100 8.62380 862.38
500 7.50944 3,754.72

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