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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPW35N60C3IN-ND
Cantidad disponible 288
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SPW35N60C3

Descripción MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SPW35N60C3
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 34.6 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 21.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 1.9 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 200 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 4500 pF a 25 V
Potencia máxima 313 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP000014970
SPW35N60C3-ND
SPW35N60C3FKSA1
SPW35N60C3IN
SPW35N60C3X
SPW35N60C3XK

11:37:44 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 8.52000 8.52
10 7.69600 76.96
100 6.37170 637.17
500 5.54838 2,774.19
1,000 4.83246 4,832.46

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