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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPW32N50C3FKSA1-ND
Cantidad disponible 409
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SPW32N50C3FKSA1

Descripción MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 560V 32A (Tc) 284W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SPW32N50C3
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Producto destacado Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 560 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 32 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 1.8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 170 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4200 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 284 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110 mOhm a 20 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP000014625
SPW32N50C3
SPW32N50C3-ND
SPW32N50C3IN
SPW32N50C3IN-ND
SPW32N50C3X
SPW32N50C3XK

23:39:10 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.06000 7.06
10 6.38200 63.82
100 5.28370 528.37
500 4.60094 2,300.47
1,000 4.00727 4,007.27

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