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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPW11N60C3IN-ND
Cantidad disponible 198
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SPW11N60C3

Descripción MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SPW11N60C3
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 380 mOhm a 7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 500 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 60 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1200 pF a 25 V
Potencia máxima 125 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP000013728
SPW11N60C3-ND
SPW11N60C3FKSA1
SPW11N60C3IN
SPW11N60C3X
SPW11N60C3XK

12:05:04 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.30000 3.30
10 2.96300 29.63
100 2.42790 242.79
500 2.06686 1,033.43
1,000 1.74314 1,743.14

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