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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPU07N60C3IN-ND
Cantidad disponible 1,015
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SPU07N60C3

Descripción MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
Descripción ampliada N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SP(D,U)07N60C3
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 350 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 790 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 83 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 4.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP000101635
SPU07N60C3-ND
SPU07N60C3BKMA1
SPU07N60C3IN
SPU07N60C3X
SPU07N60C3XK

04:55:32 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.84000 1.84
10 1.65000 16.50
100 1.32590 132.59
500 1.08938 544.69
1,000 0.90263 902.63

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