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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPU01N60C3IN-ND
Cantidad disponible 1,379
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SPU01N60C3

Descripción MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SPD,SPU01N60C3
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 800 mA (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 5 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 100 pF a 25 V
Potencia máxima 11 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP000012110
SPU01N60C3-ND
SPU01N60C3BKMA1
SPU01N60C3IN
SPU01N60C3X
SPU01N60C3XK

10:28:57 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.94000 0.94
10 0.84300 8.43
100 0.65730 65.73
500 0.54302 271.51
1,000 0.42870 428.70

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