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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPP20N65C3XKSA1-ND
Cantidad disponible 1,161
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SPP20N65C3XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SP(P,A,I)20N65C3
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20.7 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 13.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 114 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2400 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000681064

12:10:41 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.62000 4.62
10 4.14800 41.48
100 3.39890 339.89
500 2.89338 1,446.69
1,000 2.44020 2,440.20

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