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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPA11N80C3IN-ND
Cantidad disponible 27,752
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SPA11N80C3

Descripción MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SPA11N80C3
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Diseño/especificación de PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Ensamble/origen de PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 450 mOhm a 7.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 680 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 85 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1600 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000216320
SPA11N80C3IN
SPA11N80C3X
SPA11N80C3XK
SPA11N80C3XKSA1
SPA11N80C3XTIN
SPA11N80C3XTIN-ND

02:18:59 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.57000 2.57
10 2.30600 23.06
100 1.85310 185.31
500 1.52250 761.25
1,000 1.26150 1,261.50

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