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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPA02N80C3IN-ND
Cantidad disponible 1,093
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SPA02N80C3

Descripción MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 800V 2A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos SPA02N80C3
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Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Ensamble/origen de PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 120 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 290 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 30.5 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.7 Ohm a 1.2 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000216295
SPA02N80C3IN
SPA02N80C3XK
SPA02N80C3XKSA1

01:25:24 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.12000 1.12
10 1.00000 10.00
100 0.77930 77.93
500 0.64378 321.89
1,000 0.50825 508.25

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