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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLZ24NPBF-ND
Cantidad disponible 2,182
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLZ24NPBF

Descripción MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRLZ24NPbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 15 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 480 pF a 25 V
Potencia máxima 45 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRLZ24NPBF
SP001553022

23:55:17 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.11000 1.11
10 0.99400 9.94
100 0.77510 77.51
500 0.64030 320.15
1,000 0.50550 505.50

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