Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLU3410PBF-ND
Cantidad disponible 4,542
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLU3410PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
Descripción ampliada N-Channel 100V 17A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 800 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±16 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 79 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 105 mOhm a 10 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRLU3410PBF
64-4160PBF
64-4160PBF-ND
SP001574164

18:44:06 2/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.84000 0.84
10 0.75500 7.55
100 0.58880 58.88
500 0.48640 243.20
1,000 0.38400 384.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario