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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLSL4030PBF-ND
Cantidad disponible 589
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLSL4030PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.3 mOhm a 110 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 130 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 11360 pF a 50 V
Potencia máxima 370 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001558626

04:05:13 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.47000 4.47
10 4.01000 40.10
100 3.28580 328.58
500 2.79710 1,398.55
1,000 2.35900 2,359.00

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