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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLSL4030PBF-ND
Cantidad disponible 579
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLSL4030PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Descripción ampliada N-Channel 100V 180A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11360 pF a 50 V
Vgs (máx.) ±16 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 370 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.3 mOhm a 110 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001558626

12:22:48 1/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.47000 4.47
10 4.01000 40.10
100 3.28580 328.58
500 2.79710 1,398.55
1,000 2.35900 2,359.00

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