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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLB3813PBF-ND
Cantidad disponible 10,463
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLB3813PBF

Descripción MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 260 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.95 mOhm a 60 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.35 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 86 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 8420 pF a 15 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 64-0084PBF
64-0084PBF-ND
SP001558110

07:20:44 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.01000 2.01
10 1.80700 18.07
100 1.45270 145.27
500 1.19350 596.75
1,000 0.98890 988.90

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