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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRL60B216-ND
Cantidad disponible 1,572
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRL60B216

Descripción MOSFET N-CH 60V 195A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRL60B216
Embalaje de PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.9 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 258 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 15570 pF a 25 V
Potencia máxima 375 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001568416

16:59:22 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.02000 3.02
10 2.71100 27.11
100 2.22110 222.11
500 1.89074 945.37
1,000 1.59460 1,594.60

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