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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRL530NPBF-ND
Cantidad disponible 1,127
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRL530NPBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 7 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRL530NPbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño IRL530NPBF Saber Model
IRL530NPBF Spice Model
Ensamble/origen de PCN TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 34 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 800 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRL530NPBF
64-0095PBF
64-0095PBF-ND
SP001578734

15:46:24 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.30000 1.30
10 1.16200 11.62
100 0.90620 90.62
500 0.74860 374.30
1,000 0.59100 591.00

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