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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRL520NPBF-ND
Cantidad disponible 2,119
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRL520NPBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 100V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRL520NPbF
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Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 440 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±16 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 48 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRL520NPBF
SP001558080

09:33:20 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.20000 1.20
10 1.07200 10.72
100 0.83560 83.56
500 0.69028 345.14
1,000 0.54495 544.95

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