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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRL40B212-ND
Cantidad disponible 2,797
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRL40B212

Descripción MOSFET N-CH 40V 195A
Descripción ampliada N-Channel 40V 195A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRL40B212, IRL40S212
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Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 40 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 150 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 137 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8320 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 231 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.9 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001578760

10:23:42 3/29/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.70000 2.70
10 2.42600 24.26
100 1.95020 195.02
500 1.60230 801.15
1,000 1.32762 1,327.62

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