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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRL40B209-ND
Cantidad disponible 1,539
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRL40B209

Descripción MOSFET N-CH 40V 195A
Descripción ampliada N-Channel 40V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRL40B209
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®, StrongIRFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 40 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 270 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15140 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.25 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres SP001576458

17:21:17 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.02000 3.02
10 2.71100 27.11
100 2.22110 222.11
500 1.89074 945.37
1,000 1.59460 1,594.60

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