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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU6215PBF-ND
Cantidad disponible 2,198
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU6215PBF

Descripción MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
Descripción ampliada P-Channel 150V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFR6215PbF, IRFU6215PbF
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 150 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 860 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 295 mOhm a 6.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFU6215PBF
SP001557816

00:33:17 3/29/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.35000 1.35
10 1.20500 12.05
100 0.93940 93.94
500 0.77606 388.03
1,000 0.61268 612.68

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