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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU5505PBF-ND
Cantidad disponible 2,583
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU5505PBF

Descripción MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
Descripción ampliada P-Channel 55V 18A (Tc) 57W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFR5505PbF, IRFU5505PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 650 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 57 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110 mOhm a 9.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFU5505PBF
SP001557786

04:17:55 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.83000 0.83
10 0.74600 7.46
100 0.58190 58.19
500 0.48070 240.35
1,000 0.37950 379.50

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