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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU5410PBF-ND
Cantidad disponible 1,698
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU5410PBF

Descripción MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
Descripción ampliada P-Channel 100V 13A (Tc) 66W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFR5410PbF, IRFU5410PbF
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN Leadframe Update 02/Jun/2015
Leadframe Retraction 03/Jun/2015
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 58 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 760 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 66 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 205 mOhm a 7.8 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFU5410PBF
SP001557796

14:13:43 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.93000 0.93
10 0.83500 8.35
100 0.65090 65.09
500 0.53770 268.85
1,000 0.42450 424.50

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