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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU220NPBF-ND
Cantidad disponible 5,987
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU220NPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
Descripción ampliada N-Channel 200V 5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 300 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 43 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 2.9 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFU220NPBF
SP001567710

15:48:47 2/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.80000 0.80
10 0.70000 7.00
100 0.53640 53.64
500 0.42400 212.00
1,000 0.33920 339.20

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